電力系統における交直変換や周波数変換といった電力変換は、Si（シリコン）パワー半導体素子を活用したパワーエレクトロニクス機器により実現されています。
Siパワー半導体素子は長寿命であることが特徴の一つですが、実際にどこまで使用できるのか、また長期使用した際に特性がどのように変化するのかはあまり明らかにされていません。そこで、Siパワー半導体素子の長期信頼性を明らかにするため、本設備でその高電圧・大電流特性を測定し、電気特性の評価を行っています。

また、従来型機器に比べてより高効率な電力変換を実現するために、次世代の半導体材料であるSiC（炭化ケイ素）に注目し、大口径かつ低欠陥のSiC単結晶を目指した高品位SiC結晶成長技術の開発や、高電圧・大面積SiC素子の開発と信頼性評価に関する研究を行っています。