電力中央研究所 研究者紹介ページ

[主な学会発表、講演]
1. ＜Plenary invited talk＞ H. Tsuchida, “4H-SiC as material for electricity infrastructure”, International Conference on Silicon carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM2025), Busan, Korea, 2025.9.

2. ＜Invited talk＞ H. Tsuchida, S. Asada, F. Fujie, “Analysis of stacking faults and formation mechanism of basal plane dislocations in 4H-SiC”, ACCGE24/OMVPE22, Stevenson, Washington, USA, 2025.7.

3. ＜Plenary invited talk＞ H. Tsuchida, “Growth and defect characterization of 4H-SiC bulk crystals and epilayers for high-voltage devices”, The 8th International Symposium on Wide Bandgap Semiconductor 2024 (WBGS2024), Busan, Korea, 2024.11.

4. ＜Invited talk＞ H. Tsuchida, T. Kanda, “Progress in fast 4H-SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method”, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid state Science 2024 (PRiME2024), Honolulu, HI, USA, 2024.10.

5. ＜Plenary invited talk＞ H. Tsuchida, “Defect characterization and control for suppression
of bipolar degradation in 4H-SiC power devices”, 20th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Stony Brook, NY, USA, 2024.8.

6. ＜招待講演＞土田秀一、宇治原徹、原田俊太、沓掛健太朗、村山健太、高石将輝、「SiCバルク結晶製造技術の革新に向けたプロセスインフォマティクス技術の研究」、電気情報通信学会総合大会、広島大学、広島、2024.3.

7. ＜Invited talk＞ K. Murata, T. Miyazawa, H. Tsuchida, “Carrier lifetime control for designing buffer and drift layers in 4H-SiC devices”, International Conference on Silicon carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022), Davos, Switzerland, 2022.9.

8. ＜Invited talk＞ H. Tsuchida, I. Kamata, N. Hoshino, K. Murata, “Recent progress in 4H-SiC CVD growth and defect control”, 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020・2021 (ECSCRM2021・2022), Tours, France, 2021.10.

9. ＜Invited talk＞ H. Tsuchida, K. Murata, T. Tawara, M. Miyazato, T. Miyazawa, K. Maeda, “Suppression of bipolar degradation in 4H-SiC power devices by carrier lifetime control”, 65th International Electron Devices Meeting (IEDM 2019), San Francisco, CA, USA, 2019.12.

10. ＜招待講演＞土田秀一、村田晃一、宮澤哲哉、鎌田功穂、星乃紀博、「高電圧パワーデバイスに向けた4H-SiC CVD成長技術の進展」、先進パワー半導体分科会第6回講演会、広島国際会議場、広島、2019.12.

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受賞

1. 第58回（令和7（2025）年度）市村賞市村産業賞貢献賞、深田啓介、百瀬賢治、土田秀一、「パワー半導体用高品質SiCエピウェハーの高生産性製造技術」、2026.3.

2. 第50回（2023年度）岩谷直治記念賞、土田秀一、藤林裕明、伊藤英樹、深田啓介、「高品質SiC単結晶膜の高速製造技術の開発と応用」、2024.3.

3. 応用物理学会論文賞（優秀論文賞）、N. Hoshino, I. Kamata, T. Kanda, Y. Tokuda, H. Kuno, H. Tsuchida, “Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method”, 2023.3.

4. SSDM 2019 Poster Award, Y. Tokuda, H. Uehigashi, K. Murata, H. Tsuchida, “Fabrication of 4H-SiC PiN diodes on substrate grown by HTSVD method”, 2019.9.

5. 応用物理学会論文賞（優秀論文賞）、R. Tanuma, M. Nagano, I. Kamata, H. Tsuchida, “Three-dimensional imaging and tilt-angle analysis of dislocations in 4H-SiC by two-photon-excited band-edge photoluminescence”, 2016.9.

6. 電気科学技術奨励賞、中山浩二、石井竜介、土田秀一、「大容量・高耐熱SiCツェナーダイオードの開発」、オーム社、2010.11．

7. 電気学術振興賞論文賞、中山浩二、菅原良孝、石井竜介、土田秀一、鎌田功穂、中村智宣、「4H-SiC pinダイオードの順方向劣化特性と高耐圧少劣化 (000-1)C面4H-SiC pin ダイオード」、電気学会、2010.6．

8. MRS Meeting Outstanding Paper, I. Kamata, H. Tsuchida, W. Vetter, M. Dudley, “High-Resolution X-ray Topography of Dislocations in 4H-SiC Epilayers”, Material Research Society, 2006.9．

9. JJAP 論文賞、I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi “Influence of 4H-SiC epitaxial growth conditions on micropipe dissociation”、応用物理学会、2004.9．

10. 応用物理学会講演奨励賞、土田秀一、「全反射赤外吸収分光法によるSiC単結晶表面の評価」、応用物理学会、1998.3．

委員歴

1. General chair of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2026 (ICSCRM 2026), H. Tsuchida (2025.9－present)

2. 応用物理学会「半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会」、土田秀一（副委員長: 2023.4.1－現在）

3. International Steering Committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), H. Tsuchida (member: 2022.11－present)

4. International Steering Committee of International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductor (DRIP), H. Tsuchida (member: 2012.4－present, chair: 2022.9－2024.8)

5. Conference chair of the 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductor (DRIP XIX), H. Tsuchida (2019.1－2023.10)

6. Technical program committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM 2025), H. Tsuchida (member: 2024.11－present)

7. Technical program committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024), H. Tsuchida (member: 2023.11－2024.10)

8. Technical program committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023), H. Tsuchida (member: 2022.11－2023.9)

9. Technical program committee of 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021 (ECSCRM 2020/2021), H. Tsuchida (member: 2019.10－2021.10)

10. 日本学術振興会第145委員会「結晶評価と加工」、土田秀一（副委員長: 2018.4－2023.3.31）

11. 応用物理学会先進パワー半導体分科会幹事会、土田秀一（幹事長: 2016.1－2017.12、副幹事長: 2014.1－2015.12）

12. 京都大学卓越大学院「先端光・電子デバイス創成学」、土田秀一（担当者: 2019.4－現在）

13. 第6回パワーデバイスシリコンおよび関連半導体材料に関する研究会、土田秀一（実行委員長: 2017.1－2018.12）

14. IEA 4E Power Electronic Conversion Technology Annex (PECTA), PECTA-experts, H. Tsuchida (member: 2020.10－present)

15. Technical program committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), H. Tsuchida (chair: 2017.10－2019.10)

16. Technical program committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM 2017), H. Tsuchida (member: 2015.10－2017.9)

17. Technical program committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM 2015), H. Tsuchida (member: 2013.11－2015.10)

18. Program Committee of 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, H. Tsuchida (SSDM 2013), H. Tsuchida (area chair: 2012.10－2013.9)

19. Technical program Committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013), H. Tsuchida (member: 2012.11－2013.10)

20. Technical program committee of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), H. Tsuchida (member: 2009.10－2011.9)

21. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会、土田秀一（実行委員長: 2008.1－2008.12）

その他

[学術論文]

K. Maeda, S. Asada, K. Murata, H. Tsuchida, “The critical excitation intensity for expansion of single Shockley stacking fault in 4H-silicon carbide: Theoretical study”, Journal of Applied Physics, 139, 145703, 2026.

K. Maeda, S. Asada, K. Murata, H. Tsuchida, “The critical excitation intensity for expansion of single Shockley stacking fault in 4H-silicon carbide: Experimental study”, Journal of Applied Physics, 139, 145704, 2026.

D. Shafizadeh, V. Jokubavicius, K. Murata, H. Tsuchida, P. Udvarhelyi, G. Bian, O. Lang, M. Karaman, D. H. Enriquez, M. Brehm, T. Fromherz, M. Trupke, J. Sun, R. Yakimova, I. A. Abrikosov, N. T. Son. A. Gali, I. G. Ivanov, “Vanadium photoluminescence in 3C-SiC”, Physical Review B 113, 0375201, 2025.

T. Nishikawa, N. Morioka, H. Abe, K. Murata, K. Okajima, T. Ohshima, H. Tsuchida, N. Mizuochi, “Coherent photoelectrical readout of single spins in silicon carbide at room temperature”, Nature Communications, (2025) 16:3405.

Tsuchida, T. Kanda, “Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method”, Materials Science in Semiconductor Processing 176, 108315, 2024.

Asada, K. Murata, H. Tsuchida, “Impacts of single Shockley-type stacking faults on current conduction in 4H-SiC PiN diodes”, Journal of Applied Physics 136, 175702, 2024.

Fujie, T. Shiono, K. Murata, N. Ishibashi, Y. Mabuchi, H. Tsuchida, “Formation of basal plane dislocations by stress near epilayer/substrate interface of large-diameter SiC wafers with thick epitaxial layers”, Journal of Applied Physics 135, 235706, 2024.

Asada, K. Murata, H. Tsuchida, “Modeling of stacking faults in 4H-SiC n-type epilayer for TCAD simulation”, IEEE Transaction on Electron Devices 70, 1757, 2023.

<Open access> Asada, T. Miyazawa, H. Tsuchida, “Limited current conduction due to various types of stacking faults in n-type 4H-SIC epilayers”, Applied Physics Express 15, 045502, 2022.

Kamata, N. Hoshino, K. Betsuyaku, T. Kanda, H. Tsuchida, “Investigation of propagation and coalescence of threading screw and mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by the high-temperature gas source method”, Journal of Crystal Growth 590, 126676, 2022.

Asada, T. Miyazawa, H. Tsuchida, “Simulation Analysis of Increase in ON-State Voltage of 4H-SiC Bipolar Devices Due to Single-Shockley-Stacking Faults”, IEEE Transaction on Electron Devices 68, 3468, 2021.

Maeda, K. Murata, I. Kamata, H. Tsuchida, “Mechanical-stressing measurements of formation energy of single Shockley stacking faults in 4H-SiC”, Applied Physics Express 14, 044001, 2021.

Murata, T. Tawara, A. Yang, R. Takanashi, T. Miyazawa, H. Tsuchida, “Carrier lifetime control by intentional boron doping in aluminum doped p-type 4H-SiC epilayers”, Journal of Applied Physics 129, 025702, 2021.

Yamazaki, Y. Chiba, S. Sato, T. Makino, N, Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, S-Y Leee, T. Ohshima, “Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations”, Applied Physics Letters 118, 021106, 2021.

→その他関連学術論文リスト

【外部資金獲得】

NEDO「先導研究プログラム／エネルギー・環境新技術先導研究プログラム／次世代高電圧変換器向け超高耐圧SiCデバイスの技術開発」、産業技術総合研究所、電力中央研究所、東芝、フェニテックセミコンダクター、筑波大学、2025－2026年度

戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）「先進的量子技術基盤の社会課題への応用促進／固体量子センサの社会実装促進に向けた実践環境の構築」、量子科学技術研究所、東京工業大学、東北大学、物質・材料研究機構、豊田中央研究所、電力中央研究所、Quantum Zero、2023－2027年度

NEDO「先導研究プログラム／マテリアル革新技術先導研究プログラム／SiCバルク成長技術の革新に向けたプロセスインフォマティクス技術の研究開発」、研究代表者: 土田秀一、課題番号: JPNP14004、2021－2022年度

NEDO「クリーンエネルギー分野における革新的技術の国際共同研究開発事業／分散型電力ネットワーク有効活用に資する革新的要素技術開発／クリーンエネルギー有効活用に向けた高耐圧デバイス・パワエレ要素技術の国際共同研究開発」、産業技術研究所、電力中央研究所、課題番号: JPNP20005、2021－2023年度

科研費科学研究費助成事業（基盤研究（A））、「高温CVD方による高速SiCバルク成長における転位低減機構解明と限界探求」、研究代表者: 土田秀一、課題番号: 20H00356、2020－2022年度

SIP（戦略的イノベーション創造プログラム）「次世代パワーエレクトロニクス／SiC次世代パワーエレクトロニクスの統合的研究開発」、産業技術総合研究所、京都大学、大阪大学、電力中央研究所、東京大学、2014－2018年度

最先端研究開発支援プログラム「低炭素社会創成へ向けた炭化珪素（SiC）革新パワーエレクトロニクスの研究開発」、京都大学、産業技術総合研究所、電力中央研究所、2009－2013年度

NEDO「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」、産業技術総合研究所、電力中央研究所、他、2010－2014年度

NEDO「パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開発　高効率・高密度インバータ革新的高度化基盤技術開発」、新機能素子研究開発協会、東京工業大学、大阪大学、産業技術総合研究所、電力中央研究所、2007-2008年度

【特許出願・登録状況】

国内特許出願: 110件、特許登録（特許公報）: 93件（2026年3月23日現在）

研究者TOP 土田秀一

研究者

土田 秀一

記録・資料

主著

共著

土田秀一