地中送電設備監視のための磁界発電装置の開発　－ケーブル通電電流に応じたCT（変流器）の構築－

自立型無線センサ用電源としての振動発電モジュールの開発 ―第1報：磁歪式振動発電モジュールの試作と性能確認―

カメラによる振動計測法の発電設備への適用性検証―水車発電機振動の試験計測―

件名：磁歪材料の製造方法
公開番号：2018-203563
登録番号：6958854

件名：半導体結晶の成長装置
公開番号：
登録番号：4916736

件名：単結晶成膜方法
公開番号：
登録番号：5265985

件名：気相成長装置および気相成長方法
公開番号：
登録番号：5719710

件名：半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法
公開番号：
登録番号：5820143

件名：サセプタの処理方法および半導体製造装置の処理方法
公開番号：
登録番号：5479260

件名：半導体製造装置およびサセプタのクリーニング方法
公開番号：
登録番号：5542560

件名：炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法
公開番号：
登録番号：6065762

件名：半導体製造装置
公開番号：
登録番号：6405859

件名：成膜装置、サセプタ、及び成膜方法
公開番号：
登録番号：6444641

件名：炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法
公開番号：
登録番号：9879359

件名：サセプタ処理方法及びサセプタ処理用プレート
公開番号：
登録番号：6320831

件名：成膜装置、成膜方法及びリフレクタユニット
公開番号：
登録番号：6208063

件名：炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置
公開番号：
登録番号：6550962

件名：化学気相成長装置に用いられるサセプタおよびそれを備えた化学気相成長装置
公開番号：
登録番号：6372310

件名：電力供給設備
公開番号：
登録番号：7001555

件名：電力変換機器、発電設備
公開番号：2020-068584
登録番号：

件名：振動発電装置
公開番号：2021-72707
登録番号：

件名：固有振動数の調整ができる振動発電装置、及び、固有振動数の調整ができる振動発電方法
公開番号：2021-175211
登録番号：

件名：成膜装置及び成膜方法
公開番号：2015-73000
登録番号：6158025

件名：SiCエピタキシャルウェハ及びその製造⽅法
公開番号：US-2020-0083330-A1
登録番号：11107892

件名：成膜装置および成膜方法
公開番号：
登録番号：6000676

件名：成膜装置および成膜方法
公開番号：
登録番号：10-1420126

件名：成膜装置および成膜方法
公開番号：
登録番号：9,598,792

件名：成膜装置および成膜方法(国内優先権主張出願)
公開番号：
登録番号：6038618

件名：成膜装置および成膜方法
公開番号：
登録番号：6026333

件名：成膜装置および成膜方法
公開番号：
登録番号：5732284

件名：成膜装置および成膜方法
公開番号：
登録番号：5542584

件名：成膜装置および成膜方法
公開番号：
登録番号：5646207

件名：炭化珪素の成膜装置および炭化珪素の成膜方法(国内優先権主張出願)
公開番号：
登録番号：6091932

件名：炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置
公開番号：
登録番号：6540270

件名：炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置
公開番号：
登録番号：6547444

件名：ＳｉＣ化学気相成長装置
公開番号：
登録番号：6376700

件名：ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャル成長装置
公開番号：
登録番号：6362266

件名：成膜装置
公開番号：
登録番号：6664993

件名：ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャル成長装置
公開番号：
登録番号：10262863

件名：SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
公開番号：
登録番号：6832240

件名：SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
公開番号：
登録番号：6762484

件名：SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
公開番号：
登録番号：ZL201880032744.8

件名：SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
公開番号：US-2019-0376206-A1
登録番号：